キオクシア、SSDは2007年の革新を最後に進化していないと発表、ノートPC用の「M.2」普及が足枷に

――　フラッシュストレージの性能は今後さらに進化するのか。

ストエルマン氏　われわれの事業は1987年、当時の東芝がNAND型フラッシュメモリを発明したことに始まる（キオクシアは2017年、東芝のフラッシュメモリ事業を分社化して誕生）。2007年には、NAND型フラッシュメモリのメモリセル（記憶素子）を積層することで同じ面積での記録密度を高める3次元NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」が登場した。

BiCS FLASHは世代交代を重ね、現行の第8世代に達した。第8世代は積層数が218層となり、さらなる大容量化、高性能化、エネルギー効率の向上を実現している。

例えば、第6世代と比較してインタフェース速度は約80％向上した。レイテンシの低減、読み書き速度の向上も実現している。「1ワットの電力効率で何GBのデータを転送できるか」というエネルギー効率の指標も改善した。このような技術革新の中核にあるのがフラッシュメモリ技術だ。

当社はさらなる開発も視野に入れている。今後も積層数を増やし、エネルギー効率を高めていく。すでに第9世代と第10世代の開発に着手している。

https://news.yahoo.co.jp/articles/2905d3c55c7a956c782e2934215274e512df3c90?page=2